單串負(fù)極MOSFET保護(hù)的鋰電池保護(hù)板功能測(cè)試
燒錄、校準(zhǔn)、讀取、比對(duì)為一體
二段保護(hù)功能測(cè)試
支持多通道并行測(cè)試
功能全面、測(cè)試速度快
儀器自帶上位機(jī)軟件
通過(guò) USB 數(shù)據(jù)線與電腦聯(lián)機(jī)并設(shè)置參數(shù)及保存測(cè)試結(jié)果
支持遠(yuǎn)程 SQL Server 數(shù)據(jù)庫(kù)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)、MES對(duì)接

測(cè)試項(xiàng)目

特殊功耗分兩檔0.00-200.00uA，0.0-2000.0uA

靜態(tài)自耗電測(cè)試  分兩檔0.00-200.00uA，0.0-2000.0uA

休眠功耗測(cè)試  分兩檔0.00-200.00uA，0.0-2000.0uA

正極內(nèi)阻（PTC）測(cè)試 分兩檔0.00-100.00mΩ，0.00-1000.00mΩ

負(fù)極內(nèi)阻（MOSFET）測(cè)試 分兩檔0.00-100.00mΩ，0.00-1000.00mΩ

導(dǎo)通總阻抗測(cè)試

一級(jí)，二級(jí)過(guò)壓保護(hù)延時(shí)時(shí)間測(cè)試 0.00-6500.00mS

一級(jí)，二級(jí)過(guò)壓保護(hù)電壓測(cè)試  2.0000-5.0000V

一級(jí)，二級(jí)壓恢復(fù)電壓測(cè)試  2.0000-5.0000V

一級(jí)，二級(jí)欠壓保護(hù)延時(shí)時(shí)間測(cè)試 0.00-6500.00mS

一級(jí)，二級(jí)欠壓保護(hù)電壓測(cè)試  2.0000-5.0000V

一級(jí)，二級(jí)欠壓恢復(fù)電壓測(cè)試  2.0000-5.0000V

一級(jí)，二級(jí)放電過(guò)流保護(hù)延時(shí)時(shí)間測(cè)試 0.000-1000.000mS

一級(jí)，二級(jí)放電過(guò)流保護(hù)電流測(cè)試 0.200-20.000A

一級(jí)，二級(jí)充電過(guò)流保護(hù)延時(shí)時(shí)間測(cè)試 0.000-1000.000mS

一級(jí)，二級(jí)充電過(guò)流保護(hù)電流測(cè)試 0.200-20.000A

一級(jí)，二級(jí)短路保護(hù)時(shí)間測(cè)試  0.00-1000.00mS

一級(jí)，二級(jí)低壓充電測(cè)試

漏電測(cè)試

識(shí)別電阻1測(cè)試  分4檔0.000-2.000K，20.000K，200.00K，2000.0K

識(shí)別電阻2測(cè)試  分4檔0.000-2.000K，20.000K，200.00K，2000.0K

識(shí)別電阻RP                分4檔0.000-2.000K，20.000K，200.00K，1000.0K

識(shí)別電阻RN                分4檔0.000-2.000K，20.000K，200.00K，1000.0K

BQ2022A芯片數(shù)據(jù)燒錄和比對(duì)。

BQ27541,BQ27545,BQ27546等Gas Gauge電量管理芯片的燒錄，校準(zhǔn)，驗(yàn)證等